IXYS - IXTA1R6N50D2

KEY Part #: K6395021

IXTA1R6N50D2 Цены (доллары США) [47959шт сток]

  • 1 pcs$0.90131
  • 50 pcs$0.89682

номер части:
IXTA1R6N50D2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTA1R6N50D2 electronic components. IXTA1R6N50D2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA1R6N50D2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA1R6N50D2 Атрибуты продукта

номер части : IXTA1R6N50D2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 23.7nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 645pF @ 25V
Функция FET : Depletion Mode
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 100W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263 (IXTA)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB