Vishay Siliconix - SI7703EDN-T1-E3

KEY Part #: K6397612

SI7703EDN-T1-E3 Цены (доллары США) [135773шт сток]

  • 1 pcs$0.27242
  • 3,000 pcs$0.25581

номер части:
SI7703EDN-T1-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI7703EDN-T1-E3 electronic components. SI7703EDN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7703EDN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7703EDN-T1-E3 Атрибуты продукта

номер части : SI7703EDN-T1-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4.3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 800µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.3W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® 1212-8
Пакет / Дело : PowerPAK® 1212-8

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.