Diodes Incorporated - DMN95H2D2HCTI

KEY Part #: K6397615

DMN95H2D2HCTI Цены (доллары США) [42839шт сток]

  • 1 pcs$0.91271

номер части:
DMN95H2D2HCTI
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - стабилитроны - массивы and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMN95H2D2HCTI electronic components. DMN95H2D2HCTI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN95H2D2HCTI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN95H2D2HCTI Атрибуты продукта

номер части : DMN95H2D2HCTI
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 950V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 20.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1487pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 40W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : ITO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.