Infineon Technologies - AUIRFB4610

KEY Part #: K6418135

AUIRFB4610 Цены (доллары США) [52586шт сток]

  • 1 pcs$0.74354
  • 1,000 pcs$0.68218

номер части:
AUIRFB4610
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Модули питания драйверов and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies AUIRFB4610 electronic components. AUIRFB4610 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFB4610, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFB4610 Атрибуты продукта

номер части : AUIRFB4610
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 73A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3550pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 190W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в