IXYS - IXFQ90N20X3

KEY Part #: K6396094

IXFQ90N20X3 Цены (доллары США) [12672шт сток]

  • 1 pcs$3.25237

номер части:
IXFQ90N20X3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFQ90N20X3 electronic components. IXFQ90N20X3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFQ90N20X3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ90N20X3 Атрибуты продукта

номер части : IXFQ90N20X3
производитель : IXYS
Описание : 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 90A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.8 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5420pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 390W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-3P
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3

Вы также можете быть заинтересованы в