Rohm Semiconductor - R6011ENJTL

KEY Part #: K6393558

R6011ENJTL Цены (доллары США) [56609шт сток]

  • 1 pcs$0.76357
  • 1,000 pcs$0.75977

номер части:
R6011ENJTL
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 11A LPT.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - JFETs, Модули питания драйверов and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor R6011ENJTL electronic components. R6011ENJTL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6011ENJTL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R6011ENJTL Атрибуты продукта

номер части : R6011ENJTL
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 600V 11A LPT
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 11A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 670pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 40W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : LPTS (D2PAK)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в