Toshiba Semiconductor and Storage - TK560P60Y,RQ

KEY Part #: K6402048

TK560P60Y,RQ Цены (доллары США) [174414шт сток]

  • 1 pcs$0.21207
  • 2,000 pcs$0.18272

номер части:
TK560P60Y,RQ
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK560P60Y,RQ electronic components. TK560P60Y,RQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK560P60Y,RQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK560P60Y,RQ Атрибуты продукта

номер части : TK560P60Y,RQ
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Серии : DTMOSV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 240µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 14.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 380pF @ 300V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 60W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DPAK
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.