Vishay Siliconix - SUD20N10-66L-GE3

KEY Part #: K6420786

SUD20N10-66L-GE3 Цены (доллары США) [254258шт сток]

  • 1 pcs$0.14547
  • 2,000 pcs$0.13689

номер части:
SUD20N10-66L-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SUD20N10-66L-GE3 electronic components. SUD20N10-66L-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUD20N10-66L-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUD20N10-66L-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SUD20N10-66L-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 16.9A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 860pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в