Infineon Technologies - IPB60R165CPATMA1

KEY Part #: K6399811

IPB60R165CPATMA1 Цены (доллары США) [37895шт сток]

  • 1 pcs$1.03181

номер части:
IPB60R165CPATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - JFETs, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB60R165CPATMA1 electronic components. IPB60R165CPATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB60R165CPATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R165CPATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB60R165CPATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 21A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 790µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2000pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 192W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO263-3-2
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

  • AUIRFR5410

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.

  • IRFIBF20GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP.

  • IRFI840GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

  • IRLIZ14GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP.