Infineon Technologies - IPB60R280P7ATMA1

KEY Part #: K6419005

IPB60R280P7ATMA1 Цены (доллары США) [87266шт сток]

  • 1 pcs$0.44807

номер части:
IPB60R280P7ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET TO263-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB60R280P7ATMA1 electronic components. IPB60R280P7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB60R280P7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R280P7ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB60R280P7ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET TO263-3
Серии : CoolMOS™ P7
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 190µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 761pF @ 400V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 53W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в