IXYS - IXTT30N60P

KEY Part #: K6394883

IXTT30N60P Цены (доллары США) [12532шт сток]

  • 1 pcs$3.80070
  • 30 pcs$3.78179

номер части:
IXTT30N60P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTT30N60P electronic components. IXTT30N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT30N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT30N60P Атрибуты продукта

номер части : IXTT30N60P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
Серии : PolarHV™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 30A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5050pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 540W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-268
Пакет / Дело : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA