Vishay Siliconix - SI3460BDV-T1-E3

KEY Part #: K6418866

SI3460BDV-T1-E3 Цены (доллары США) [239890шт сток]

  • 1 pcs$0.15419
  • 3,000 pcs$0.13563

номер части:
SI3460BDV-T1-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-E3 electronic components. SI3460BDV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3460BDV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3460BDV-T1-E3 Атрибуты продукта

номер части : SI3460BDV-T1-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 24nC @ 8V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 860pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 6-TSOP
Пакет / Дело : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.