IXYS - IXFT150N17T2

KEY Part #: K6394763

IXFT150N17T2 Цены (доллары США) [14715шт сток]

  • 1 pcs$2.80065

номер части:
IXFT150N17T2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFT150N17T2 electronic components. IXFT150N17T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT150N17T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT150N17T2 Атрибуты продукта

номер части : IXFT150N17T2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH
Серии : HiPerFET™, TrenchT2™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 175V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 150A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 233nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 14600pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 880W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-268
Пакет / Дело : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA