Vishay Siliconix - SQ4153EY-T1_GE3

KEY Part #: K6419555

SQ4153EY-T1_GE3 Цены (доллары США) [118801шт сток]

  • 1 pcs$0.31134

номер части:
SQ4153EY-T1_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQ4153EY-T1_GE3 electronic components. SQ4153EY-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ4153EY-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ4153EY-T1_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQ4153EY-T1_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 12V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 25A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.32 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 151nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 11000pF @ 6V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 7.1W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SOIC
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в