Vishay Siliconix - SIHG47N65E-GE3

KEY Part #: K6398774

SIHG47N65E-GE3 Цены (доллары США) [10143шт сток]

  • 1 pcs$3.92223
  • 10 pcs$3.52868
  • 100 pcs$2.90122
  • 500 pcs$2.43076
  • 1,000 pcs$2.11711

номер части:
SIHG47N65E-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG47N65E-GE3 electronic components. SIHG47N65E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG47N65E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG47N65E-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHG47N65E-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 47A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 273nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5682pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 417W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AC
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3.

  • VP0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3.

  • VP3203N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.

  • R5011FNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM.

  • IPA80R280P7XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V 17A TO220.

  • R6009KNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM.