Infineon Technologies - IPB35N12S3L26ATMA1

KEY Part #: K6420026

IPB35N12S3L26ATMA1 Цены (доллары США) [152774шт сток]

  • 1 pcs$0.24211
  • 1,000 pcs$0.19747

номер части:
IPB35N12S3L26ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CHANNEL100.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB35N12S3L26ATMA1 electronic components. IPB35N12S3L26ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB35N12S3L26ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB35N12S3L26ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB35N12S3L26ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CHANNEL100
Серии : *
Состояние детали : Active
Тип FET : -
Технология : -
Слив к источнику напряжения (Vdss) : -
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : -
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : -
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
Рабочая Температура : -
Тип монтажа : -
Комплект поставки устройства : -
Пакет / Дело : -

Вы также можете быть заинтересованы в