Infineon Technologies - IPD22N08S2L50ATMA1

KEY Part #: K6420600

IPD22N08S2L50ATMA1 Цены (доллары США) [216805шт сток]

  • 1 pcs$0.17060
  • 2,500 pcs$0.16250

номер части:
IPD22N08S2L50ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD22N08S2L50ATMA1 electronic components. IPD22N08S2L50ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD22N08S2L50ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD22N08S2L50ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD22N08S2L50ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 75V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 27A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 31µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 630pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 75W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в