Diodes Incorporated - DMNH6011LK3Q-13

KEY Part #: K6393941

DMNH6011LK3Q-13 Цены (доллары США) [110319шт сток]

  • 1 pcs$0.33528

номер части:
DMNH6011LK3Q-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMNH6011LK3Q-13 electronic components. DMNH6011LK3Q-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMNH6011LK3Q-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMNH6011LK3Q-13 Атрибуты продукта

номер части : DMNH6011LK3Q-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 49.1nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3077pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.6W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252, (D-Pak)
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в