Infineon Technologies - IRFB4332PBF

KEY Part #: K6408511

IRFB4332PBF Цены (доллары США) [21302шт сток]

  • 1 pcs$1.85535
  • 10 pcs$1.65791
  • 100 pcs$1.35947
  • 500 pcs$1.04440
  • 1,000 pcs$0.88082

номер части:
IRFB4332PBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFB4332PBF electronic components. IRFB4332PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB4332PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB4332PBF Атрибуты продукта

номер части : IRFB4332PBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 250V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5860pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 390W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP0610KL-TR1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FDD6N50FTF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK.

  • 2SK3068(TE24L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM.

  • 2SK2993(TE24L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM.

  • RDX060N60FU6

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM.

  • RDX045N60FU6

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM.