Infineon Technologies - BSP297 E6327

KEY Part #: K6409970

[97шт сток]


    номер части:
    BSP297 E6327
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single and Тиристоры - СКВ ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies BSP297 E6327 electronic components. BSP297 E6327 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP297 E6327, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSP297 E6327 Атрибуты продукта

    номер части : BSP297 E6327
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
    Серии : SIPMOS®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 660mA (Ta)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 660mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 400µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 16.1nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 357pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.8W (Ta)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : PG-SOT223-4
    Пакет / Дело : TO-261-4, TO-261AA

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.