Infineon Technologies - BSC080P03LSGAUMA1

KEY Part #: K6419274

BSC080P03LSGAUMA1 Цены (доллары США) [101095шт сток]

  • 1 pcs$0.38677

номер части:
BSC080P03LSGAUMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSC080P03LSGAUMA1 electronic components. BSC080P03LSGAUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC080P03LSGAUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC080P03LSGAUMA1 Атрибуты продукта

номер части : BSC080P03LSGAUMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 16A (Ta), 30A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 122.4nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6140pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TDSON-8
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в