Infineon Technologies - IPAN80R360P7XKSA1

KEY Part #: K6395266

IPAN80R360P7XKSA1 Цены (доллары США) [32358шт сток]

  • 1 pcs$1.27362
  • 500 pcs$0.73410

номер части:
IPAN80R360P7XKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPAN80R360P7XKSA1 electronic components. IPAN80R360P7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPAN80R360P7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPAN80R360P7XKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPAN80R360P7XKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220
Серии : CoolMOS™ P7
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 13A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 930pF @ 500V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 30W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO220 Full Pack
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack