IXYS - IXFP130N10T2

KEY Part #: K6394673

IXFP130N10T2 Цены (доллары США) [31972шт сток]

  • 1 pcs$1.29837
  • 200 pcs$1.29191

номер части:
IXFP130N10T2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFP130N10T2 electronic components. IXFP130N10T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP130N10T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP130N10T2 Атрибуты продукта

номер части : IXFP130N10T2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
Серии : GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 130A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6600pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 360W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3